三星量产100层V贺卡
时间：2022/07/14 16:23:18 编辑：
2019-08-08 11:19:35来源：全球半导体观察
8月6日，三星电子宣布已开始批量生产250千兆字节(SATA)固态硬盘(SSD)，该硬盘集成了该公司的第六代(1xx层)256Gb，适用于全球PC OEM的三位V-NAND。通过在短短13个月内推出新一代V-NAND，三星已将批量生产周期缩短了四个月，同时确保了业界最高的性能，功效和制造生产率。
三星电子解决方案产品与开发执行副总裁Kye Hyun Kyung说：“随着下一代V-NAND产品的开发周期加快，我们计划快速扩展我们的高速，高容量512Gb V-NAND解决方案的市场。”
具有100多层设计的唯一单堆栈3D存储器芯片
三星的第六代V-NAND具有业界最快的数据传输速率，充分利用该公司独特的制造优势，将3D内存提升到新的高度。
利用三星独特的“通道孔蚀刻”技术，新型V-NAND可将先前9x层单层结构的单元数量增加约40%。这是通过构建由136层组成的导电模具堆叠，然后从顶部到底部垂直穿透圆柱形孔来实现的，从而产生均匀的3D电荷捕获闪光(CTF)单元。
随着每个单元区域中的模具堆叠的高度增加，NAND闪存芯片往往更容易受到错误和读取延迟的影响。为了克服这些限制，三星采用了速度优化的电路设计，使其能够实现最快的数据传输速度，写入操作低于450微秒(μs)，读取低于45μs。与上一代产品相比，性能提升了10%以上，同时功耗降低了15%以上。
得益于这种速度优化设计，三星将能够在不影响芯片性能或可靠性的情况下，通过安装三个电流堆栈，提供超过300层的下一代V-NAND解决方案。
此外，创建256Gb芯片密度所需的通道孔数量已从上一代的9.3亿个减少到6.7亿个孔，从而减小了芯片尺寸并减少了工艺步骤。这使制造业生产率提高了20%以上。
利用高速和低功耗特性，三星不仅计划将其3D V-NAND的范围扩展到下一代移动设备和企业服务器等领域，而且还扩展到高可靠性至关重要的汽车市场。
继今天推出250GB SSD之后，三星计划在今年下半年推出512Gb三比特V-NAND SSD和eUFS。该公司还计划从明年起在其Pyeongtaek(韩国)园区扩大更高速和更大容量的第六代V-NAND解决方案的生产，以更好地满足全球客户的需求。